共发射极状态下直流电流放大系数会随着晶体管结温的变化而变化吗
晶体管有两套参数，在高频电路中用y参数，而在低频电路中用h参数。你所说的这个是低频电路中的一个参数hfe，俗称共发射极状态下直流电流放大糸数，它会随着晶体管结温的变化而变化，或者说是漂移，环境温度也是有影响的，但关健还是结温，细说起来十分复杂，一般情况下随着温度升高这个参数是变大的，这里说的是一般情况下，如果是结温高到一定程度后，反而会失去放大能力。
如想知道更多，y参数可参阅西安交通大学出版“半导体电路基础”一书，h参数可参阅清华大学出版“晶体管电路”一书
晶体管的主要缺点有如下二个方面:一、热稳定性差;二、參数的不一致性。
即使是同一型号的管子，其参数差别也是很大的。这带来了调换管子时要重新调整偏流电阻的麻烦。但最突出的问题还是热稳定性差。实践中发现，外界的温度变化对反向饱和电流Ibo的影响极大。温度每增加10℃，Icbo 要增加一倍左右。例如一只2SC3198型低小功率三极管， B-50，在10℃测得它的Icbo=10 μA,如果温度升高到40℃，将测得Icbo=80 μA左右。而穿透电流Icbo= (1+ β) Icbo，因此温度对Icbo的影响更为显著。上例中当温度为10C时,
Icbo = (1 + 50) 10=510μA
当温度升高到40℃而Icbo上升到80μA时,
Icbo=(1+50) 80=4080μA=4.08 mA
这将使管子的工作状态发生很大的变化，严重地破坏电路的正常工作。如果应用在自动控制中 ，这样大的穿透电流，即使没有输入讯号，也可能使继电器等执行元件造成误动作。因此克服晶体管的这个缺点是个十分重要的问题。
